日前於日本所举办的「日本 Rambus 开发者论坛 2004（Rambus Developer Forum Japan 2004）」中，由预备投产 Rambus 公司新型记忆体「XDR DRAM」的三家厂商所发表的最新量产计划，透露了 PS3 记忆体规格变更的可能性。
「XDR DRAM」是 Rambus 公司所提出的新一代记忆体规格，原称「Yellowstone」，是承继该公司先前 Rambus DRAM 设计路线的高速序列传输记忆体，运作速度为 2.4～6.4Gtps（Gtps：十亿次传输／秒），在使用 64 位元宽度的汇流排下，可达 19.2～51.2GBps 的记忆体频宽，比目前主流的双通道 DDR400 记忆体理论频宽高出 3～8 倍之多。 根据日本 PC Watch 网站专栏作家 後藤弘茂 的报导，预备投产 Rambus 公司新型记忆体「XDR DRAM」的三家厂商 东芝、三星 与 Elpida，於去年「Rambus 开发者论坛」所发表的量产计划中，原本是预定以单颗 512Mbit 的 XDR 记忆体晶片作为首波量产的规格，但今年所发表的新蓝图中，却改为以 256Mbit 的晶片作为首波量产。
由於 Sony 发表将采用 XDR DRAM 作为 PS3 的记忆体，除外尚无其他大规模需求的市场，故一般认定 XDR DRAM 的量产计划一开始将以供应 PS3 所需为主要考量，所以该报导推测此次 XDR DRAM 量产计划的变更，反映了 PS3 记忆体系统规格的变动 该报导表示，先前来自业界的消息指出，PS3 原定采用 4 颗 3.2Gtps 512Mbit XDR DRAM 记忆体晶片，构成 64bit 宽度，频宽 25.6GBps，容量 256MB 的主记忆体系统，如今 256Mbit XDR DRAM 记忆体取代了 512Mbit 提前量产，代表了 PS3 的主记忆体系统将可能有以下两种变化：
| 晶片类型 | 晶片数目 | 汇流排宽度 | 頻寬 | 容量 | 成本 | |
| 方案一 | 256Mbit | 4 | 64bit | 25.6GBps | 128MB | 低 |
| 方案二 | 256Mbit | 8 | 128bit | 51.2GBps | 256MB | 高 |
| 原方案 | 512Mbit | 4 | 64bit | 25.6GBps | 256MB | 中 |
由於东芝今年与去年所发表的 XDR DRAM 记忆体潜在市场预估报表并无显著变化，表示东芝预期 XDR DRAM 的市场并不因为 256Mbit 记忆体晶片的抢先投产而有所减少，且 128MB 记忆体对於下一个世代的游乐器来说，前瞻性过低，故後藤弘茂推测总容量不变的「方案二」可能性较大，也就是说 PS3 的记忆体频宽将较原先所预估大一倍，而达到 51.2GBps 之多，附带一提，目前已发表的 PC 显示卡中记忆体频宽最高为 ATi X800 XT 的 35.8GBps。 同时该报导也由三记忆体厂商皆於 2005 年年中开始大规模量产 XDR DRAM 的时程，推测 PS3 也将於 2005 年年中量产，正式上市时间可能为 2005 年下半年到 2006 年上半年。
来自日本方面的速报表示，Sony 於今日（7 月 12 日）下午的、「PlayStation Meeting 2004」中，宣布「下一代系统（Next System，本文暂称 PS3）」将於今年内正式发表，并预定於明年 E3 展出，究竟这些规格与上市时间的传闻是否确实，答案很快就会揭晓，有兴趣的玩家不妨注意相关报导。